“我之前预定的碳化硅晶体生长炉排上号了吗？”

韩修正在为冰晶半导体制冷片的投产做准备，此刻正联系着远在奉天的设备供应商。

半导体产业发展至今经历了三个阶段：第一代主要以硅（si）锗（ge）元素单质半导体材料为代表。第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓(gaas)、锑化铟（insb）也已经广泛应用。第三代半导体材料则主要以碳化硅(sic)、氮化镓( gan)为代表的宽禁带半导体材料。

与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料性能优势显著，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，因此被业界广泛好评。

发展较好的第三代半导体材料主要是碳化硅(sic)、氮化镓( gan)，其中碳化硅(sic)的技术更为成熟，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

“你是要碳化硅单晶炉系统？型号是tdl60p这款？”

韩修之前联系这个设备供应商已经有些时日了，奈何其供应紧张，时间一长下来，对方竟然都快忘了这码事了！

“对，就是这款！”韩修确认道。

“哦……淮扬连海的盖世电子是吧？不好意思……之前忘了通知你了，你们预定的tdl60p已经排上生产了！大概十天后就能交付！”对方口气迷迷糊糊的，压根不像是正儿八经的生意人。

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